蝕刻時間/缺陷率呈正函數關係 SiC晶圓表面處理時間要抓緊

2016 年 08 月 25 日
碳化矽(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但儘管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進,這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實,晶圓襯底的表面處理時間越長,則表面缺陷率也會跟著增加。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

環保議題衝擊產品設計 揮發性有機化合物成隱形殺手

2009 年 02 月 26 日

打造更節能電力電子系統 高效率IGBT/MOSFET擔重任

2014 年 02 月 08 日

強化訊號切換系統設計 醫療設備自動化量測效能躍進

2014 年 03 月 20 日

善用創新軟硬體開發工具 永磁同步馬達控制設計更快速

2015 年 08 月 17 日

結合BLDC諸多優勢  直流馬達發展潛力無窮

2016 年 11 月 19 日

添加雜訊模型與初始參數最佳化 EKF精準估算衛星位置(2)

2024 年 08 月 16 日
前一篇
搶食IIoT大餅 Wind River鎖定四大應用領域
下一篇
R&S開發全新示波器觸發/解碼軟體